[PConline雜談]說起內存，對于普通人來說可能并沒有什么好談的，它雖然是電腦中不可或缺的硬件，但只要容量夠大，對游戲和日常使用體驗的影響感知不強，但對于DIY玩家來說，刷新內存頻率的新高同時收窄時序是他們一直追求的事情，雖然3600MHz可能就比2400MHz的內存玩游戲高那么幾幀，但是這數字看著就很舒服。

決定內存超頻主要的因素有三個，其一搭配CPU的IMC（內存控制器），這個主要跟IMC設計有關，而且它也和CPU體質一樣 ，同型號每一顆處理器的IMC都會有體質上的差異；其次就是主板和主板BIOS，這就看主板廠商的調教了；最后就是取決于內存的顆粒，今天曉邊就來帶大家認識一下主流的內存顆粒，也方便大家買到便宜好用還能超頻的內存。

內存顆粒之間有何區別？

為什么內存顆粒之間會有體質區別？首先生產內存顆粒的廠商就有很多家，這個應該很多DIY玩家都知道了，這里簡單羅列一下，目前消費市場90%的內存顆粒都是由鎂光、海力士、三星這三大家來自美韓的巨頭生產，除此以外還有南亞、華邦和力晶等臺灣廠商也會生產，不過后面這幾家廠商現在主要生產服務器內存的顆粒，消費市場就相對少一點。

國產紫光DDR3內存顆粒

內存顆粒就是DRAM芯片，每家廠商技術研發實力不同，芯片設計不同，采用的制造工藝也不同，生產出來的芯片質量自然也會有差別。

即使是同一家廠商生產的內存顆粒，也是會迭代發展的，比如海力士第一代DDR4內存顆粒主要有H5AN8G8NMFR和H5AN4G8NMFR等以MFR結尾的顆粒，民間稱之為MFR顆粒，這些顆粒能穩定運行在2666MHz或者2400MHz的頻率下，但是超頻潛力幾乎沒有，狂加電壓也無法成功，隨后海力士就推出了以AFR結尾的顆粒，這代顆粒明顯改善了超頻性能，加壓即可超頻，頻率顯著提升，現在又迭代發展到第三代的CJR顆粒。

目前主流的內存顆粒有哪些？

那么目前主流的內存顆粒有哪些呢？我們就分廠商來說吧。

海力士

舉例時用了海力士，我們就先談海力士的顆粒。剛剛也說了海力士第一代主推的DDR4內存顆粒為MFR顆粒(也稱海力士 M-die），25nm制程，MFR顆粒穩定耐用，但是超頻能力幾乎沒有，現在還多見于低頻的DDR4內存中。

但是對比友商三星在顆粒上極好的超頻體質，海力士處于了下風，為了改善這一情況，2015年年末開始，海力士就推出了H5AN8G6NAFR（8Gb）、H5AN8G8NAFR（8Gb）、H5AN4G8NAFR（4Gb）和H5AN4G6NAFR（4Gb）三種顆粒，宣告了AFR顆粒（也稱為海力士A-die）的到來。通常使用21nm制程的AFR顆粒相比MFR有更好的超頻能力，只要加電壓頻率上3200MHz并不難，但是體質并不算好，高頻下時序也很一般。

為了對標友商三星在高頻內存的優勢，海力士潛心研發了數年，終于推出了近兩年大火的CJR顆粒。

海力士CJR顆粒是SK海力士Hynix C-die顆粒，是繼MFR、AFR之后的第三代8Gbit顆粒，采用1Xnm（通常為18nm)制程，由于型號“H5AN8G4NCJR”等后綴為CJR的顆粒，所以也稱CJR顆粒。CJR顆粒體質好，更重要的是對近年來大火的銳龍平臺兼容性非常好，上3600MHz輕輕松松，因此成了DIY玩家，特別是AMD平臺玩家的寵兒。

除此以外海力士還推出了更新一代的JJR（J-die）顆粒，但這個顆粒是為了取代此前的MFR和AFR顆粒，超頻體質稍微不如CJR顆粒。

簡單總結一下，目前市場主流的海力士顆粒中，以體質排序CJR,當然不排除有個別體質好的特例能以下犯上。

三星

三星內存顆粒早在DDR3時代就非常能超，在DIY圈建立了口碑，DDR4時代亦是如此，這里就不得不提到三星B-die這個顆粒了。

三星B-die是DDR4時代的超頻傳奇，大部分為20nm制程，無數內存超頻記錄都是由他完成，是DIY玩家心中的極品顆粒，三星B-die對AMD和Intel兼容性都很好，在Intel平臺達到4000MHz以上頻率更是基本操作，時序還很低，深受玩家喜愛。

不過我們常說的B-die顆粒，其實是特指K4A8G045WB、K4A8G085WB等5WB后綴系列中的BCBP顆粒，這些顆粒是被特挑出來專門做旗艦內存的，所以更準確地說體質好的應該叫特挑B-die。

剩下的普通B-die 體質雖然也很不錯，但是不具備有挑戰超頻記錄的實力，還有一種邊角料的B-die ，這些就是體質最差的B-die了。

影馳HOF OC Lab 就是使用三星B-die

不過遺憾的是三星上年宣布停產B-die顆粒，一代傳奇就此落幕，現在市面上已經越來越難買到三星B-die顆粒的內存了，有也是之前內存廠商屯起來用于制造旗艦產品，價格昂貴。

接替B-die顆粒的是三星A-die和M-die，新的顆粒提升了密度，單顆容量更大，讓成本降低，方便制造單條32GB或更大的內存，而根據三星所說A-die超能能力與B-die一致甚至更好，容量更大，M-die則次一點。但是這么好的顆粒三星主要用于專業市場和服務器市場，消費市場還沒排到，可能等產能上去了我們普通消費者才能接觸到了。

除此以外目前市場上的三星顆粒還有C-die和E-die，這些體質就相對一般了。

總結來說，就討論目前大家能買到的三星內存顆粒體質，特挑B-die<普通B-die<邊角料B-die，而A-die和M-die因為市面沒買到也沒實測，就不說了。

鎂光

此前鎂光顆粒在DIY圈子中存在感還是比較低的，一般穩定耐用，但是超頻性能沒有三星那么奪目。

鎂光B-die是比較早期的DDR4顆粒，也是鎂光出貨量很大的顆粒，這類顆粒穩定耐用，但是別想著能怎么超頻了，買到了默認用就好。

除此以外鎂光還有一家子公司Spectek專門處理鎂光檢測中不合格的降級顆粒，這些降級內存顆粒會打上Spectek的大S標志，被稱為大S顆粒。大S顆粒都是鎂光的降級片，但也有好有壞，舉個例子，鎂光生產3200MHz頻率的內存顆粒，把達不到要求的給Spectek降級成2400MHz標準處理售賣，那你不能說這些顆粒達不到3200MHz要求就是垃圾顆粒；但也有些大S顆粒是低端內存篩選標準篩選下來的，良率特低，這些就是垃圾顆粒了。

大S顆粒標志

因此大S顆粒魚龍混雜，也是很多山寨內存條喜歡用的內存顆粒，不是專業能熟讀顆粒型號的DIY玩家還是避開比較好。

當然，隨著時間推移，鎂光也和海力士一樣奮發圖強，推出了一批容易上高頻關鍵價格還不貴的顆粒，它就是最近大火，以5726MHz的成績打破DDR4內存超頻記錄的鎂光E-die。

鎂光E-die是鎂光17年末生產的顆粒，只是在三星B-die停產之前沒什么人玩，直到19年才被神通廣大的DIY玩家發掘出來。在超頻玩家的手中鎂光E-die超頻到4000MHz難度不大，但電壓要加得比較高，而且時序比較難收窄。雖然有一些瑕疵，但鎂光E-die最近還是被熱捧，因為目前鎂光E-die主要用于英睿達的原廠內存上，價格最低的只要200多一條，非常實惠，堪稱平民法拉利。

鎂光E-die的顆粒不同型號也會有體質上的差異，目前民間實踐過最好的是C9BJZ，其次是D9VPP,其他則與普通B-die沒有明顯差距。

如果給鎂光的顆粒體質排一個順序，大概就是E-dieC9BJZ<B-die<大S。

看完各家小結，大家應該都能看懂哪些顆粒比較好了，但是要是三家匯總起來應該怎么排序呢？不慌，這里曉邊就簡單總結了一個簡易的內存顆粒天梯表給大家參考，有需要的小伙伴也可以保存下來。

那么內存顆粒怎么看呢？

一般情況下內存顆粒表面就有它的編號了，但是現在的內存基本都有馬甲，對于一般消費者來說拆開馬甲看顆粒并不現實。

此時一個比較方便的方法就通過軟件Thaiphoon Burner，這個軟件能讀取內存的各種信息，下面教一下大家如何使用。

百度下載該軟件后，直接打開，點擊紅框框的Read就能進入信息頁面。

我這條就是十銓生產的內存，使用的是Hynix海力士的顆粒，顆粒編號以CJR結尾，型號也寫明了是C-die，很明顯我這條內存使用的就是海力士的CJR顆粒了。

以此類推，這條內存就是鎂光的D9VPP E-die。

這條內存就是三星特挑BCPB的B-die。

不過臺風也不完全準，是基于它的大數據估測的，但也八九不離十，大家想看的話記得更新軟件到最新的版本會更為靠譜一些。

總結

其實除了少部分發燒級DIY玩家以外，內存顆粒的體質對大部分人還是沒什么影響的，一般人買了內存回去，開了XMP默認用也能很舒服，本篇文章也是面向極小眾的DIY發燒級玩家。

而對于這部分發燒友，曉邊最后還給一個選購的建議。三星的B-die已經停產，現在基本只存在與高價的旗艦內存中，不必過分強求，鎂光的C9BJZ是一個很好的替代品，目前C9BJZ多用于鎂光自家的英睿達內存中，某東平臺上自營的英睿達鉑勝3000MHz的馬甲條就大概率是使用C9BJZ顆粒，目前這款內存也是賣到漲價斷貨了，喜歡折騰的玩家可以關注。

本文為企業推廣，本網站不做任何建議，僅提供參考，作為信息展示！

推薦閱讀：上海網