手機閃存的區(qū)別

存儲空間就是指手機內(nèi)的閃存，也叫ROM。

一塊手機閃存芯片（ROM）是由NAND顆粒、主控芯片和數(shù)據(jù)接口組成，而我們經(jīng)常聽到的UFS、eMMC和NVMe這些名詞都是傳輸協(xié)議，這些組件和傳輸協(xié)議共同進行標準封裝，最終形成一個高度集成的存儲模塊。目前，主要幾家生產(chǎn)閃存顆粒的廠商有美光、三星、海力士、東芝、閃迪等。同時根據(jù)NAND閃存中電子單元密度的差異，又可以分為SLC（單層次存儲單元）、MLC（雙層存儲單元）以及TLC(三層存儲單元)，三種存儲單元在壽命造價上又有明顯的區(qū)別，其中SLC，速度快壽命長，即1bit/cell，價格偏貴；MLC 速度一般壽命一般，即2bit/cell，性價比高；TLC速度慢壽命短，即3bit/cell，價格很便宜。

前幾年，eMMC一直占據(jù)移動市場主流，這一標準從eMMC4.3一路迭代到5.1，傳輸速率也從50MB/S飆升至600MB/S。隨著更大容量存儲芯片的出現(xiàn)，更強的UFS、NVMe也出來了。

NVMe這一傳輸標準，大家比較陌生因為它是iPhone等 蘋果產(chǎn)品獨享的，iPhone的傳輸速率，大家有目共睹就不說了。而作為安卓陣營的新寵的UFS標準則是三星主導研發(fā)的，這一標準支持同時讀寫數(shù)據(jù)、待機狀態(tài)下功耗極地、讀寫速率方面，最新的UFS2.1可達恐怖的1.5GB/S；而老邁的eMMC同一時間只能維持讀取或?qū)懭胍环N狀態(tài)。

閃存讀寫速度對手機的影響有多大呢?舉個例子，我們平時打開相冊往下滑動，有時下面相冊的顯示還是空白的，這就是閃存速度跟不上，不能及時讀出來我們所要看的照片。另外，用手機拷大型文件那就是漫長的等待了。可見，手機的流暢使用體驗，并不全是處理器決定的，處理器和運存只能確保操作流暢不卡頓，但快不快只能由閃存速度決定。比如，我們平時安裝軟件、載入游戲、照片文件等使用場景的快慢都取決于閃存讀寫速率。

比如，軟件安裝速度對比，eMMC 5.1實測速度只有250MB/S，而UFS2.1實測速度可達750MB/S，這就意味著安裝相同應用用戶就要多等差不多三倍時間。再比如，加載游戲、應用畫面等場景，也要多等三倍時間，比起手機卡頓這讓人更容易產(chǎn)生厭煩的情緒。

要買一款好的手機不能只看處理器、運存、系統(tǒng)等性能好還，閃存性能的重要性同樣不能忽略。不同品質(zhì)的閃存之間性能相差三倍的形成的溝壑，是系統(tǒng)和處理器等優(yōu)化所填補不了的。